Rochester Electronics, LLC NTJD2152PT1G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

775mA

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子表面处理

哑光锡

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

COMMERCIAL

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

270mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

300m Ω @ 570mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 8V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.775A

漏极-源极导通最大电阻

0.3Ohm

DS 击穿电压-最小值

8V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant