NTMFD4C86NT1G
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Rochester Electronics, LLC NTMFD4C86NT1G

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型号

NTMFD4C86NT1G

utmel 编号

2071-NTMFD4C86NT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-PowerTDFN

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

POWER, N-CHANNEL, MOSFET

起订量

1最小包装量--

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NTMFD4C86NT1G
NTMFD4C86NT1G Rochester Electronics, LLC POWER, N-CHANNEL, MOSFET

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NTMFD4C86NT1G详情

Rochester Electronics, LLC NTMFD4C86NT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件包装

    8-DFN (5x6)

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    11.3A 18.1A

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 功率 - 最大

    1.1W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.4mOhm @ 30A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1153pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    22.2nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 场效应管特性

    Standard

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Rochester Electronics, LLC NTMFD4C86NT1G.

NTMFD4C86NT1G拓展信息

2SK1284-Z-E1-AZ
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