Rochester Electronics, LLC NUS3116MTR2G

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WDFN Exposed Pad

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

端子表面处理

哑光锡

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

S-XBCC-N8

功能

电源管理

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

DS 击穿电压-最小值

12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

ROHS3 Compliant