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首页 集成电路（IC） PMIC - 电池管理 NUS3116MTR2G
NUS3116MTR2G
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Rochester Electronics, LLC NUS3116MTR2G

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型号

NUS3116MTR2G

品牌

Rochester Electronics, LLC

utmel 编号

2071-NUS3116MTR2G

商品类别

PMIC - 电池管理

封装

8-WDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

起订量

1最小包装量--

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NUS3116MTR2G
NUS3116MTR2G Rochester Electronics, LLC SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

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NUS3116MTR2G详情

技术参数

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Rochester Electronics, LLC NUS3116MTR2G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-WDFN Exposed Pad

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    S-XBCC-N8

  • 功能

    电源管理

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4.4A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.05Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    12V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: Rochester Electronics, LLC NUS3116MTR2G.

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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