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2SC5511E

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Rohm 2SC5511E

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对比

型号

2SC5511E

品牌

utmel 编号

2078-2SC5511E

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

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2SC5511E

2SC5511E Rohm Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220FN, 3 PIN

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2SC5511E详情

技术参数

Rohm 2SC5511E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Part Package Code

TO-220FN
Risk Rank

5.45
Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD
Part Life Cycle Code

不推荐
Number of Elements

1
Manufacturer

ROHM 半导体
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer Part Number

2SC5511E
Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz
Rohs Code

有
Operating Temperature-Max

150 °C
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Moisture Sensitivity Levels

1
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.29.00.75
子类别

其他晶体管
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

NPN
最大耗散功率(Abs)

20 W
集电极电流-最大值(IC)

1.5 A
最小直流增益（hFE）

100
集电极-发射器电压-最大值

160 V
达到SVHC

compliant

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2SC5511E拓展信息

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