DTD143ESTP详情
Rohm DTD143ESTP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
SC-72 Formed Leads
供应商器件包装
SPT
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
DTD143ESTP
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Part Package Code
SC-72
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Risk Rank
5.63
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Reflow Temperature-Max (s)
10
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Package
Tape & Reel (TR)
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Base Product Number
DTD143
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
系列
-
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
功率 - 最大
300 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Pre-Biased + Diode
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
200 MHz
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
47
电阻基(R1)
4.7 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
4.7 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
VCEsat-最大值
0.3 V
DTD143ESTP拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm
Rohm
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
Rohm
Rohm
Rohm








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