ROHM Semiconductor 2N3904T93

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

hFEMin

40

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

150°C TJ

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN/TIN COPPER

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

300mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2N3904

引脚数量

3

元素配置

Single

功率 - 最大

625mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 1V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

转换频率

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

关断时间-最大值（toff)

250ns

接通时间-最大值(ton)

70ns

集电极-基极电容-最大值

4pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅