ROHM Semiconductor 2SB1132T100R

工厂交货时间

7 Weeks

触点镀层

Copper, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-200mV

Number of Elements

1

hFEMin

82

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1997

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

电压 - 额定直流

-32V

最大功率耗散

2W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1A

频率

150MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SB1132

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

元素配置

Single

功率耗散

2W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 100mA 3V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

150MHz

最大击穿电压

32V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-1A

VCEsat-最大值

0.5 V

集电极-基极电容-最大值

30pF

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅