ROHM Semiconductor 2SA1579U3T106R

安装类型

底座安装

包装/外壳

Hockey Puck

引脚数

3

供应商器件包装

--

Voltage-Input

4 ~ 32VDC

Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA

Base Product Number

2SA1579

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Package

Tape & Reel (TR)

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

UMT

Transistor Polarity

PNP

Collector-Base Voltage

120(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

0.05(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

180@2MA@6V

Mounting

表面贴装

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

200 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

180

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

140 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

50 mA

DC Current Gain hFE Max

560

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

120 V

系列

GN

包装

Bulk

操作温度

150°C (TJ)

零件状态

活跃

子类别

Transistors

技术

Si

频率

140(MHz)

终端样式

螺旋端子

输出类型

AC

电路

SPST-NO (1 Form A)

配置

Single

功率耗散

0.2(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

200 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 2mA, 6V

最大集极截止电流

500nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 30mA, 1.5A

电压-负荷

48V ~ 660V

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

集电极基极电压(VCBO)

120 V

负载电流

75A

连续集电极电流

- 50 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT