ROHM Semiconductor 2SA1585STPQ

包装/外壳

SC-72 Formed Leads

安装类型

通孔

底架

Surface Mount, Through Hole

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

120

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200mW

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

240MHz

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

15V

已出版

2004

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

150°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-20V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2SA1585

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

400mW

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 2A

转换频率

240MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

20V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅