ROHM Semiconductor 2SA1807TLP

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

63

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

hFEMin

56

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

1998

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1W

终端形式

鸥翼

基本部件号

2SA1807

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率 - 最大

1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

15MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 60mA, 300mA

转换频率

15MHz

最大击穿电压

600V

集电极基极电压(VCBO)

-600V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅