ROHM Semiconductor 2SA2018E3HZGTL
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2SA2018E3HZGTL
2078-2SA2018E3HZGTL
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-416-3
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Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-416, -12V -0.5A, Low VCE(sat) Transistor
--最小包装量--
2SA2018E3HZGTL详情
ROHM Semiconductor 2SA2018E3HZGTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-416-3
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
EMT3
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
12 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
100 mV
Maximum DC Collector Current
1 A
Pd - Power Dissipation
150 mW
Gain Bandwidth Product fT
260 MHz
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
270 at - 10 mA, -2 V
DC Current Gain hFE Max
680 at - 10 mA, -2 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
Base Product Number
2SA2018
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
包装
MouseReel
操作温度
150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
配置
Single
功率 - 最大
150 mW
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 10mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
12 V
频率转换
260MHz
集电极基极电压(VCBO)
15 V
连续集电极电流
500 mA
2SA2018E3HZGTL拓展信息
ROHM Semiconductor
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