ROHM Semiconductor 2SA933ASTPS

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

SC-72 Formed Leads

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

425mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-150mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SA933

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

300mW

增益带宽积

140MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

340mV

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

140MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅