ROHM Semiconductor 2SAR293PHZGT100
- 收藏
- 对比
2SAR293PHZGT100
2078-2SAR293PHZGT100
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-89-3
大陆
立即发货

Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3 Tab) MPT T/R
--最小包装量--
2SAR293PHZGT100详情
ROHM Semiconductor 2SAR293PHZGT100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-89-3
供应商器件包装
SOT-89
RoHS
Y
Number of Elements per Chip
1
Package Type
SOT-89
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Maximum DC Collector Current
1 A
Minimum DC Current Gain
270
MSL
-
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
PNP
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
150 mV
Minimum Operating Temperature
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
320 MHz
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
DC Current Gain hFE Max
680 at - 100 mA, - 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current-Collector (Ic) (Max)
1 A
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
包装
Tape & Reel, Tray Package
操作温度
150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
尺寸/尺寸
0.11in (2.8mm) L x 0.11in (2.8mm) W x 0.103in (2.6mm) H
容差
±0.05pF
电容量
51pf
子类别
Transistors
技术
Si
引脚数量
3
配置
Single
电压
1500V
功率耗散
2W
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 100mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 25mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
转换频率
320MHz
频率转换
320MHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
连续集电极电流
1A
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2SAR293PHZGT100拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor







哦! 它是空的。