Rohm Semiconductor 2SAR512RHZGTL
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2SAR512RHZGTL
2078-2SAR512RHZGTL
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-96
大陆
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TRANS PNP 30V 2A TSMT3
--最小包装量--
2SAR512RHZGTL详情
Rohm Semiconductor 2SAR512RHZGTL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-96
供应商器件包装
TSMT3
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Moisture Sensitive
有
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
200
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
430 MHz
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
Maximum DC Collector Current
2 A
DC Current Gain hFE Max
500
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率 - 最大
500 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
最大集极截止电流
1μA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 35mA, 700mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30 V
频率转换
430MHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
连续集电极电流
- 2 A
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2SAR512RHZGTL拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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