ROHM Semiconductor 2SAR513P5T100
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2SAR513P5T100
2078-2SAR513P5T100
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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PNP -50V -1A MEDIUM POWER TRANSI
--最小包装量--
2SAR513P5T100详情
ROHM Semiconductor 2SAR513P5T100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500mW
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-F3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 50mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 25mA, 500mA
转换频率
400MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
400MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SAR513P5T100拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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