ROHM Semiconductor 2SAR553PHZGT100

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-89-3

供应商器件包装

SOT-89

MSL

-

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

PNP

Number of Elements per Chip

1

Package Type

SOT-89

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Maximum DC Collector Current

2 A

Minimum DC Current Gain

180

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

320 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

DC Current Gain hFE Max

450 at - 50 mA, - 2 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Product Status

活跃

厂商

Rohm Semiconductor

Current-Collector (Ic) (Max)

2 A

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

包装

切割胶带

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

150°C (TJ)

子类别

Transistors

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

2W

功率 - 最大

500 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 50mA, 2V

最大集极截止电流

1µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 35mA, 700mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

转换频率

320MHz

频率转换

320MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

连续集电极电流

2A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT