Rohm Semiconductor 2SAR564F3TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UDFN Exposed Pad

供应商器件包装

HUML2020L3

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

Qualification

-

Transistor Polarity

PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

120 at -0.5 A, - 3 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

180 mV

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

220 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

4 A

DC Current Gain hFE Max

390 at -0.5 A, - 3 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

包装

切割胶带

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率耗散

2.1W

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

最大集极截止电流

1μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

360mV @ 100mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

220MHz

频率转换

220MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

连续集电极电流

4A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT