Rohm Semiconductor 2SAR567F3TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-UDFN Exposed Pad

供应商器件包装

HUML2020L3

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

2.5 A

Minimum DC Current Gain

120

Maximum DC Collector Current

2.5 A

Maximum Collector Emitter Voltage

-120 V

Package Type

DFN2020-3S (HUML2020L3)

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

RoHS

Details

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

2.1 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

120

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

220 MHz

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

120 V

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

包装

MouseReel

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

1μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 80mA, 800mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

频率转换

220MHz

集电极基极电压(VCBO)

120 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT