ROHM Semiconductor 2SAR582D3TL1

包装/外壳

TO-252-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

TO-252

Package Type

DPAK

Mounting

表面贴装

Operating Temp Range

-55C to 150C

Category

双极电源

Emitter-Base Voltage

6(V)

Collector Current (DC)

10(A)

Collector-Base Voltage

30(V)

Operating Temperature Classification

Military

Rad Hardened

无

Number of Elements

1

Transistor Polarity

PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

10 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200 at -1 A, -3 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8 V

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2500

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

20 A

DC Current Gain hFE Max

500 at - 1A, -3 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

Package

Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

包装

卷带

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

子类别

Transistors

技术

Si

频率

230(MHz)

引脚数量

2 +Tab

配置

Single

功率耗散

10(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

10 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1A, 3V

最大集极截止电流

1µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 200mA, 4A

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

230MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

连续集电极电流

10 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT