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Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL

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型号

2SAR586D3FRATL

utmel 编号

2078-2SAR586D3FRATL

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

TRANS PNP 80V 5A TO252

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2SAR586D3FRATL Rohm Semiconductor TRANS PNP 80V 5A TO252

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2SAR586D3FRATL详情

Rohm Semiconductor 2SAR586D3FRATL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    TO-252

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    5 A

  • Base Product Number

    2SAR586

  • Emitter-Base Voltage

    6(V)

  • Operating Temperature Classification

    Military

  • Package Type

    DPAK

  • Transistor Polarity

    PNP

  • Collector-Base Voltage

    80(V)

  • Category

    双极电源

  • Operating Temp Range

    -55C to 150C

  • Collector Current (DC)

    5(A)

  • Number of Elements

    1

  • Rad Hardened

  • DC Current Gain

    120@500MA@3V

  • Mounting

    表面贴装

  • Qualification

    AEC-Q101

  • Emitter- Base Voltage VEBO

    6 V

  • Pd - Power Dissipation

    10 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • DC Collector/Base Gain hfe Min

    120

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    160 mV

  • Minimum Operating Temperature

    -

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    2500

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Gain Bandwidth Product fT

    200 MHz

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Brand

    ROHM 半导体

  • Maximum DC Collector Current

    5 A

  • DC Current Gain hFE Max

    390

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    80 V

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SAR586D3FRATL

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    1.61

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 包装

    卷带

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • Reach合规守则

    compliant

  • 频率

    200(MHz)

  • 引脚数量

    2 +Tab

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    10(W)

  • 输出功率

    Not Required(W)

  • 功率 - 最大

    10 W

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    120 @ 500mA, 3V

  • 最大集极截止电流

    1μA (ICBO)

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    320mV @ 100mA, 2A

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    80 V

  • 转换频率

    200MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80 V

  • 连续集电极电流

    5A

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

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