ROHM Semiconductor 2SB1239TV2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-40V

最大功率耗散

1W

Reach合规守则

unknown

额定电流

-2A

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

功率 - 最大

1W

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1.2mA, 600mA

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅