ROHM Semiconductor 2SB1241TV2R

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

100MHz

Power Dissipation (Max)

1W

Number of Elements

1

hFEMin

180

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2009

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

-80V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SB1241

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 100mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅