ROHM Semiconductor 2SB1243TV2R

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

180

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2004

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SB1243

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

70MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

70MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅