ROHM Semiconductor 2SC4505T100P
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2SC4505T100P
2078-2SC4505T100P
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
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TRANS NPN 400V 0.1A SOT-89
--最小包装量--
2SC4505T100P详情
ROHM Semiconductor 2SC4505T100P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Number of Elements
1
hFEMin
82
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
400V
最大功率耗散
2W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SC4505
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
500mW
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
20MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
82 @ 10mA 10V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 1mA, 10mA
转换频率
20MHz
最大击穿电压
400V
集电极基极电压(VCBO)
400V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
VCEsat-最大值
0.5 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SC4505T100P拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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