ROHM Semiconductor 2SC5060TV2M

包装/外壳

3-SIP

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

1000

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

90V

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

90V

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1mA, 500mA

转换频率

80MHz

频率转换

80MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅