Rohm Semiconductor 2SC5658FHAT2LR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

供应商器件包装

VMT3

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

150 mA

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

150 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

120 at 1 mA, 6 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

8000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

180 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

200 mA

DC Current Gain hFE Max

390 at 1 mA, 6 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

150°C (TJ)

包装

MouseReel

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

150 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

180MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V

连续集电极电流

150 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT