ROHM Semiconductor 2SC5662T2LN
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2SC5662T2LN
2078-2SC5662T2LN
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-723
大陆
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TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
1最小包装量--
2SC5662T2LN详情
ROHM Semiconductor 2SC5662T2LN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
11V
Current-Collector (Ic) (Max)
50mA
Number of Elements
1
hFEMin
56
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Copper (Sn/Cu)
HTS代码
8541.21.00.75
最大功率耗散
150mW
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
2SC5662
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
3.2 GHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
56 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 10mA
转换频率
3200MHz
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
3V
最高频段
S B
集电极-基极电容-最大值
1.5pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SC5662T2LN拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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