注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.608782
500
¥0.447636
1000
¥0.373025
2000
¥0.34223
5000
¥0.31984
10000
¥0.297528
15000
¥0.28774
50000
¥0.282933
ROHM Semiconductor 2SCR293P5T100
- 收藏
- 对比
2SCR293P5T100
2078-2SCR293P5T100
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
立即发货

NPN MIDDLE POWER DRIVER TRANSIST
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SCR293P5T100详情
ROHM Semiconductor 2SCR293P5T100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500mW
端子位置
SINGLE
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-F3
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
350mV
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 25mA, 500mA
转换频率
320MHz
最大击穿电压
30V
频率转换
320MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SCR293P5T100拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor






哦! 它是空的。