Rohm Semiconductor 2SCR293PHZGT100

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

供应商器件包装

SOT-89

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

NPN

Number of Elements per Chip

1

Package Type

SOT-89

Maximum Collector Emitter Voltage

30 V

Maximum DC Collector Current

2 A

Minimum DC Current Gain

270

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

2 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

270

Collector-Emitter Saturation Voltage

120 mV

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

DC Current Gain hFE Max

680

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

MouseReel

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率耗散

2W

功率 - 最大

2 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

270 @ 100mA, 2V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 25mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

转换频率

320MHz

频率转换

320MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

连续集电极电流

1A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT