ROHM Semiconductor 2SCR372P5T100R

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

500mW

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-F3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

700mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 500mA

转换频率

220MHz

最大击穿电压

120V

频率转换

220MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant