Rohm Semiconductor 2SCR372PHZGT100Q

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

供应商器件包装

SOT-89

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

700 mA

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

120 at 100 mA, 5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

220 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

700 mA

DC Current Gain hFE Max

390 at 100 mA, 5 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

120 V

系列

-

操作温度

150°C (TJ)

包装

切割胶带

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率耗散

2W

功率 - 最大

500 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

1μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

120 V

转换频率

220MHz

频率转换

220MHz

集电极基极电压(VCBO)

120 V

连续集电极电流

700mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT