Rohm Semiconductor 2SCR586JGTLL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

TO-263AB

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Number of Elements per Chip

1

Package Type

TO-263AB

Maximum Collector Emitter Voltage

80 V

Maximum DC Collector Current

5 A

Minimum DC Current Gain

120

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

40 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 mV

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

200 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

DC Current Gain hFE Max

390 at 500 mA, 3 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

150°C (TJ)

包装

切割胶带

子类别

Transistors

技术

Si

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

40W

功率 - 最大

40 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 500mA, 3V

最大集极截止电流

1μA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

连续集电极电流

5A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT