ROHM Semiconductor 2SD1857ATV2Q

包装/外壳

3-SIP

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

hFEMin

82

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

80MHz

已出版

2005

包装

Tape & Box (TB)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

电压 - 额定直流

160V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

基本部件号

2SD1857

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 100mA, 1A

转换频率

80MHz

集电极基极电压(VCBO)

160V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅