ROHM Semiconductor 2SD1859TV2P
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2SD1859TV2P
2078-2SD1859TV2P
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-SIP
大陆
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TRANS GP BJT NPN 80V 0.7A 3-PIN
1最小包装量--
2SD1859TV2P详情
ROHM Semiconductor 2SD1859TV2P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
3-SIP
表面安装
NO
供应商器件包装
ATV
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Box (TB)
Current-Collector (Ic) (Max)
700 mA
Base Product Number
2SD1859
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
120 MHz
Manufacturer Part Number
2SD1859TV2P
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.26
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e1
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 2mA, 6V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
集电极电流-最大值(IC)
0.7 A
最小直流增益(hFE)
82
集电极-发射器电压-最大值
80 V
2SD1859TV2P拓展信息
ROHM Semiconductor
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