ROHM Semiconductor 2SD1867TV2

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

3-SIP

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2005

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.0857

HTS代码

8541.29.00.75

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 1A 2V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1mA, 1A

转换频率

80MHz

频率转换

80MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

VCEsat-最大值

1.5 V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅