ROHM Semiconductor 2SD1963T100Q

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

供应商器件包装

MPT3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2SD1963T100Q

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3

Risk Rank

5.31

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

10

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Base Product Number

2SD1963

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铜

HTS代码

8541.21.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500 mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 2mA, 6V

最大集极截止电流

500nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 25mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

最大耗散功率(Abs)

0.5 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

120

集电极-发射器电压-最大值

20 V