ROHM Semiconductor 2SD2033AT114E

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

HRT

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.8W

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

未说明

电压 - 额定直流

160V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

1.5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2SD2033

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 100mA, 1A

转换频率

80MHz

最大击穿电压

160V

频率转换

80MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅