ROHM Semiconductor 2SD2144STPV

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

SC-72 Formed Leads

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

820

Collector-Emitter Breakdown Voltage

250V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

350MHz

Power Dissipation (Max)

830mW

Number of Elements

1

已出版

2004

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.75

电压 - 额定直流

20V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

2SD2144

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率 - 最大

300mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

820 @ 10mA 3V

最大集极截止电流

500nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 20mA, 500mA

转换频率

350MHz

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

25V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅