ROHM Semiconductor 2SD2167T100P

包装/外壳

TO-243AA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

31V

hFEMin

82

Number of Elements

1

已出版

2002

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e2

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper (Sn/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

31V

最大功率耗散

2W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

2A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-F3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

82 @ 500mA 3V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 200mA, 2A

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅