ROHM Semiconductor 2SD2656FRAT106
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2SD2656FRAT106
2078-2SD2656FRAT106
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
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NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR
1最小包装量--
2SD2656FRAT106详情
ROHM Semiconductor 2SD2656FRAT106重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
200mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
350mV @ 25mA, 500mA
转换频率
400MHz
频率转换
400MHz
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2SD2656FRAT106拓展信息
ROHM Semiconductor
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