ROHM Semiconductor AG009DGQ3TB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-WFQFN Exposed Pad

表面安装

YES

供应商器件包装

48-WQFN (7x7)

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

东芝半导体与存储

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

AG009DGQ3TB

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

ROHM 半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ROHM CO LTD

Risk Rank

5.82

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

-

应用

通用型

技术

NMOS

电压 - 供电

4.75V ~ 5.25V

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F5

功能

Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

界面

On/Off

输出配置

-

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

-

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

电压-负荷

10V ~ 40V

漏极-源极导通最大电阻

0.0088 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

17 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电机类型-交流，直流

-

电机类型-步进

Unipolar

步进分辨率

-