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ROHM Semiconductor B55D-19W
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B55D-19W
2078-B55D-19W
无类别的
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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B55D-19W详情
ROHM Semiconductor B55D-19W重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
8-SO
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A (Ta)
包装
Tape & Reel (TR)
系列
--
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
零件状态
Obsolete
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15 mOhm @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1340pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs（最大值）
±20V
场效应管特性
--
B55D-19W拓展信息
公司资质
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