ROHM Semiconductor B55D-19W

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

8-SO

Power Dissipation (Max)

3.1W (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Ta)

包装

Tape & Reel (TR)

系列

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操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

零件状态

Obsolete

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

15 mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1340pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

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