Rohm Semiconductor BC846BHZGT116

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SST3

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

120 mA

Base Product Number

BC846

MSL

MSL 1 - Unlimited

Qualification

AEC-Q101

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

200 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200

Collector-Emitter Saturation Voltage

170 mV

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

300 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

Maximum DC Collector Current

120 mA

DC Current Gain hFE Max

450

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

65 V

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

150°C (TJ)

包装

MouseReel

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率耗散

200mW

功率 - 最大

200 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

65 V

转换频率

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

连续集电极电流

120mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT