Rohm Semiconductor BC846BT116

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SST3

厂商

Rohm Semiconductor

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

120 mA

Emitter-Base Voltage

6(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

SOT-23

Transistor Polarity

NPN

Collector-Base Voltage

80(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

0.12(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

200

Mounting

表面贴装

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

350 mW

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200 at 2 mA, 5 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

170 mV

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

3000

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

300 MHz

Manufacturer

ROHM 半导体

Brand

ROHM 半导体

DC Current Gain hFE Max

450 at 2 mA, 5 V

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

65 V

系列

-

操作温度

150°C

包装

卷带

子类别

Transistors

技术

Si

频率

300(MHz)

引脚数量

3

配置

Single

功率耗散

0.35(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

200 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

65 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

连续集电极电流

120 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT