ROHM Semiconductor BC847BHZGT116
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BC847BHZGT116
2078-BC847BHZGT116
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
--最小包装量--
BC847BHZGT116详情
ROHM Semiconductor BC847BHZGT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
功率 - 最大
200mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
转换频率
200MHz
频率转换
200MHz
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC847BHZGT116拓展信息
ROHM Semiconductor
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