Rohm Semiconductor BC847CHZGT116
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BC847CHZGT116
2078-BC847CHZGT116
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS NPN 45V 0.1A SST3
--最小包装量--
BC847CHZGT116详情
Rohm Semiconductor BC847CHZGT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SST3
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Package Type
SOT-23 (SST3)
Maximum Collector Emitter Voltage
45 V
Maximum DC Collector Current
100 mA
Minimum DC Current Gain
420
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
NPN
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
350 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
420
Collector-Emitter Saturation Voltage
60 mV, 170 mV
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
DC Current Gain hFE Max
800
RoHS
Details
操作温度
150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
350mW
功率 - 最大
200 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
最大集极截止电流
15nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45 V
转换频率
300MHz
频率转换
300MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
连续集电极电流
100mA
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
BC847CHZGT116拓展信息
ROHM Semiconductor
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