ROHM Semiconductor BC858AT116
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BC858AT116
2078-BC858AT116
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100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
1最小包装量--
BC858AT116详情
ROHM Semiconductor BC858AT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
面板安装
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange
外壳材料
Aluminum
插入材料
Thermoplastic
终端数量
3
后壳材料,电镀
-
晶体管元件材料
SILICON
Voltage, Rating
400VAC, 550VDC
Package
Bag
Primary Material
Metal
Base Product Number
DTS20W19
厂商
TE Connectivity Deutsch 连接器
Product Status
活跃
Contact Materials
Copper Alloy
Contact Finish Mating
Gold
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
250 MHz
Manufacturer Part Number
BC858AT116
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
ROHM 半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
ROHM CO LTD
Risk Rank
5.56
操作温度
-65°C ~ 175°C
系列
MIL-DTL-38999 Series III, DTS
终端
Crimp
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Receptacle, Female Sockets
定位的数量
66
颜色
橄榄色
应用
Aviation, Communication Systems, Industrial
HTS代码
8541.21.00.75
紧固类型
Threaded
额定电流
-
端子位置
DUAL
方向
N (Normal)
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Shielded
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
unknown
外壳完成
橄榄色镉
引脚数量
3
外壳尺寸-插入
19-35
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
外壳尺寸,MIL
-
电缆开口
-
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
110
集电极-发射器电压-最大值
30 V
VCEsat-最大值
0.3 V
集电极-基极电容-最大值
4.5 pF
特征
-
触点表面处理厚度 - 配套
50.0µin (1.27µm)
材料可燃性等级
-
BC858AT116拓展信息







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