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BC858AT116
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ROHM Semiconductor BC858AT116

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型号

BC858AT116

品牌

ROHM Semiconductor

utmel 编号

2078-BC858AT116

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

起订量

1最小包装量--

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BC858AT116
BC858AT116 ROHM Semiconductor 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

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BC858AT116详情

技术参数

ROHM Semiconductor BC858AT116重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 安装类型

    面板安装

  • 表面安装

    YES

  • 越来越多的功能

    Flange

  • 外壳材料

    Aluminum

  • 插入材料

    Thermoplastic

  • 终端数量

    3

  • 后壳材料，电镀

    -

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Voltage, Rating

    400VAC, 550VDC

  • Package

    Bag

  • Primary Material

    Metal

  • Base Product Number

    DTS20W19

  • 厂商

    TE Connectivity Deutsch 连接器

  • Product Status

    活跃

  • Contact Materials

    Copper Alloy

  • Contact Finish Mating

    Gold

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    250 MHz

  • Manufacturer Part Number

    BC858AT116

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Risk Rank

    5.56

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C

  • 系列

    MIL-DTL-38999 Series III, DTS

  • 终端

    Crimp

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 连接器类型

    Receptacle, Female Sockets

  • 定位的数量

    66

  • 颜色

    橄榄色

  • 应用

    Aviation, Communication Systems, Industrial

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 紧固类型

    Threaded

  • 额定电流

    -

  • 端子位置

    DUAL

  • 方向

    N (Normal)

  • 终端形式

    鸥翼

  • 屏蔽/屏蔽

    Shielded

  • 入口保护

    抗环境干扰

  • Reach合规守则

    unknown

  • 外壳完成

    橄榄色镉

  • 引脚数量

    3

  • 外壳尺寸-插入

    19-35

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 外壳尺寸，MIL

    -

  • 电缆开口

    -

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益（hFE）

    110

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

  • VCEsat-最大值

    0.3 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    4.5 pF

  • 特征

    -

  • 触点表面处理厚度 - 配套

    50.0µin (1.27µm)

  • 材料可燃性等级

    -

0个相似型号

BC858AT116拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS